NXP Semiconductors
BAS21AVD
High-voltage switching diodes
BAS21AVD
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Product data sheet
1 August 2013
4
/
11
600
IF
(mA)
0
0
200
400
mbg384
2
1
VF
(V)
(1)
(3)
(2)
(1) Tj
= 150 °C; typical values
(2) Tj
= 25 °C; typical values
(3) Tj
= 25 °C; maximum values
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage
10
1
1
10
103
102
102
104
105
mle165
tp
(μA)
IFSM
(A)
Based on square wave currents.
Tj(init)
= 25 °C
Fig. 2.
Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
mbg381
200
0
100
Tj
(°C)
10
IR
(μA)
1
10-2
102
10-1
(1)
(2)
(1) VR
= V
Rmax; maximum values
(2) VR
= V
Rmax; typical values
Fig. 3.
Reverse current as a function of junction
temperature
0
10
VR
(V)
Cd
(pF)
20
40
0.6
0.5
0.3
0.2
0.4
30
mle166
f = 1 MHz; Tj
= 25 °C
Fig. 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
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